收藏本站
IXTQ 200N06P
F ig . 1 3 . M a x im u m T r a n s ie n t T h e r m a l R e s is t a n c e
1.00
0.10
0.01
0.00
0.1
1
10
100
1000
Pu ls e W id th - m illis e c o n d s
? 2006 IXYS All rights reserved
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*
相关PDF资料
IXTQ200N075T MOSFET N-CH 75V 200A TO-3P
IXTQ23N60Q MOSFET N-CH 600V 23A TO-3P
IXTQ24N55Q MOSFET N-CH 550V 24A TO-3P
IXTQ250N075T MOSFET N-CH 75V 250A TO-3P
IXTQ28N15P MOSFET N-CH TO-3P
IXTQ40N50Q MOSFET N-CH 500V 40A TO-3P
IXTQ42N25P MOSFET N-CH 250V 42A TO-3P
IXTQ44N50P MOSFET N-CH 500V 44A TO-3P
相关代理商/技术参数
IXTQ200N075T 功能描述:MOSFET 200 Amps 75V 4.4 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXTQ200N085T 功能描述:MOSFET 200 Amps 85V 5.0 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXTQ200N10T 功能描述:MOSFET 200 Amps 100V 5.4 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXTQ220N055T 功能描述:MOSFET 220 Amps 55V 3.6 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXTQ220N075T 功能描述:MOSFET 220 Amps 75V 4.0 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXTQ22N50P 功能描述:MOSFET 22.0 Amps 500 V 0.27 Ohm Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXTQ22N60P 功能描述:MOSFET 22.0 Amps 600 V 0.33 Ohm Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXTQ230N085T 功能描述:MOSFET 230 Amps 85V 4.1 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube